闪存发明

1. 闪存mp3播放器是什么时候发明的

MP3播放机的开山始祖-韩国

1997年春季的某一天，尚任职于三星的文光洙(1945年次，现年已60岁)，在一回次出差回韩国的飞答机上，以笔记本电脑(笔记本电脑)开启同事寄来的简报，该简报结集文字、图像与音乐。文光洙阅览这份简报时，突然脑中浮现:‘若将此压缩音乐取下，独立制造可随身携带的机器播放，不就是最好的音乐随身听吗!’

半年后，爆发亚洲金融风暴，身为1万多名员工主管的文光洙被迫提早退休，时年52岁。他带着制造音乐随身听的心愿，在一个偶然机会，来到系统整合商‘Saehan情报系统’(之后将MP3业务独立成立MPMan公司)，1997年底发明了Flash-based MP3播放机，并于隔年推出，为全球第一台MP3播放机。

取名MPMan，系文光洙意欲将此产品发扬成SONY的Walkman一般名闻遐迩，而将MP3与Walkman两字结合。

2. 闪存是谁发明的拜托各位大神

闪存的发展历史 在1984年，东芝公司的发明人Fujio Masuoka 首先提出了快速闪存存储器回(此处简称闪存)的概念。答与传统电脑内存不同，闪存的特点是非易失性(也就是所存储的数据在主机掉电後不会丢失)，其记录速度也非常快。 Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。後来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)两项技术，并拥有一个SRAM接口。 第二种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND 获得了更好的性能。鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存储卡上。

3. 内存卡是谁发明的

桀冈富士雄。

桀冈富士雄：英文名Fujio Masuoka，出生于1943年，日本人，闪存的发明者。在任东芝公司生产线中层管理人员时，即一心要发明能象软磁盘那样可插取、具有“磁带”存储功能的存储器。

桀冈富士雄于1971年加入东芝公司。大约在1984年，桀冈富士雄发明了一种独特的存储器件，鉴于桀冈的业绩，东芝拟提拔他担任公司最高技术职务，但桀冈拒绝接受，并于1994年出任东北大学电气通信研究所教授，进一步研究闪存技术。2002年，桀冈作为“闪存之父”入选世界知名商业杂志《福布斯》国际版封面人物。

(3)闪存发明扩展阅读：

桀冈富士雄发明的闪存是世界上被广泛用于数码相机、手机、汽车、洗衣机等电器的必要存储装置。具有只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)和电可擦除的优点，读存储器(EEPROM)器件的理想特征。

与RAM和EEPROM一样，可以对这些新颖的器件或同类的ROM进行写、擦除和重写数据的操作，器件能将可恢复的静态数据保存几乎无限长时间。此外，与RAM和ROM相比，桀冈富士雄的存储器容量容易提高。与ROM和EEPROM相比，该芯片能长时期存储数据，不需要备份电池或外部电源。

4. NAND闪存是由谁发明的又是谁最先生产的

东芝发明的。

5. 我们通常所说的“U盘”“闪存盘”是由哪个国家所发明的

中国

2004年12月7日，朗科获得美国国家专利局正式授权的闪存盘基础发明专利，美国专利号US6829672。这一专利权的获得，最终结束了这场争夺.中国朗科公司才是U盘的全球第一个发明者.

6. tf卡是哪国发明的

美国。

TF卡又称microSD，是一种极细小的快闪存储器卡，由SanDisk（闪迪）公司发明创立。SanDisk 公司是全球最大的闪速数据存储卡产品供应商，公司总部设在美国加利福尼亚州的苗必达市。

7. 既然U盘是朗科发明的,那么里面的闪存芯片是谁发明的

只是到做flash的厂家，以前我们做U盘多用，三星、现代、镁光的flash

8. u盘是谁发明的

中国的朗科科技是U盘发明者。

1998年至2000年，有很多公司声称自己是第一个发明了USB闪存盘。包括中国朗科科技，以色列M-Systems，新加坡Trek公司。但是真正获得U盘基础性发明专利的却是中国朗科公司。

2002年7月，朗科公司“用于数据处理系统的快闪电子式外存储方法及其装置”（专利号：ZL 99 1 17225.6）获得国家知识产权局正式授权。该专利填补了中国计算机存储领域20年来发明专利的空白。该专利权的获得引起了整个存储界的极大震动。

2004年12月7日，朗科获得美国国家专利局正式授权的闪存盘基础发明专利，美国专利号US6829672。这一专利权的获得，最终结束了这场争夺。中国朗科公司才是U盘的全球第一个发明者。

美国时间2006年2月10日，朗科委托美国摩根路易斯律师向美国德克萨斯州东区联邦
法院递交诉状，控告美国PNY公司侵犯了朗科的美国专利（美国专利号US6829672）。

2008年2月，朗科与PNY达成庭外和解。朗科向PNY签订专利许可协议，PNY向朗科公司缴纳专利许可费用1000万美元。这是中国企业第一次在美国本土收到巨额专利许可费用，也进一步证明了朗科是U盘的发明者。

9. 闪存是那个发明的

就是朗科，有了闪存以后不要软驱了。

10. 闪存的发展过程

在1984年，东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是非易失性（也就是所存储的数据在主机掉电后不会丢失），其记录速度也非常快。
Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。後来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM（可擦除可编程只读存储器）和EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）两项技术，并拥有一个SRAM接口。
第二种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存储卡上。 闪存市场仍属于群雄争霸的未成熟时期。三星、日立、Spansion和Intel是这个市场的四大生产商。
由于战略上的一些错误，Intel在第一次让出了它的榜首座椅，下落至三星、日立和Spansion之後。
AMD闪存业务部门Spansion同时生产NAND和NOR闪存。它上半年的NOR闪存产量几乎与Intel持平，成为NOR闪存的最大制造商。该公司在上半年赢利为13亿美元，几乎是它整个公司利润额（25亿美元）的一半以上。
总体而言，Intel和AMD在上半年成绩喜人，但三星和日立却遭受挫折。
据市场调研公司iSuppli所做的估计，全球的闪存收益将达到166亿美元，比2003年（116.4亿美元）上涨46%。消息者对数码相机、USB sticks和压缩式MP3播放器内存的需求将极大推动闪存的销售。据预测，2005年闪存的销售额将达到175亿美元。不过，iSuppli估计，2005年至2008年闪存的利润增涨将有所回落，最高将达224亿美元。 与许多寿命短小的信息技术相比，闪存以其16年的发展历程，充分显示了其“老前辈”的作风。九十年代初，闪存才初入市场；至2000年，利益额已突破十亿美元。英飞凌科技闪存部门主任，彼得曾说：“就闪存的生命周期而言，我们仍处于一个上升的阶段。”英飞凌相信，闪存的销售仍具有上升空间，并在酝酿加入对该市场的投入。英飞凌宣布，其位于德累斯顿的200毫米DRAM工厂已经开始生产512Mb NAND兼容闪存芯片。到2004年底，英飞凌公司计划采用170纳米制造工艺，每月制造超过10,000片晶圆。而2007年，该公司更希望在NAND市场成为前三甲。
此外，Intel技术与制造集团副总载Stefan Lai认为，在2008年之前，闪存将不可替代。2006年，Intel将首先采用65纳米技术；到2008年，正在研发的新一代45纳米技术将有望投放市场。Stefan Lai觉得，预测仍然比较浅显，或许32纳米、22纳米技术完全有可能实现。但Stefan Lai也承认，2008年至2010年，新的技术可能会取而代之。
尽管对闪存替代品的讨论越来越激励，闪存仍然受到市场的重视。未来的替代品不仅必须是类似闪存一样的非易失性存储器，而且在速度和写周期上略胜一筹。此外，生产成本也应该相对低廉。由于制造技术还不成熟，新的替代品不会对闪存构成绝对的威胁。下面就让我们来认识一下几种能的替代产品：