❶ （1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似
（1）Ga原子是31号元素，Ga原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1；GaN晶体结构与单晶硅相似，GaN属于原子晶体，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体，
故答案为：1s22s22p63s23p63d104s24p1；正四面体；原子；
（2）微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有能够接受孤电子对的空轨道的原子或离子，
故答案为：能够接受孤电子对的空轨道；
（3）①在元素周期表中同一周期从左到右元素的电负性逐渐增强，同一主族从上到下元素的电负性逐渐减弱，可知电负性强弱顺序为O＞N＞H，
故答案是：O＞N＞H；
②SO2分子中含有2个δ键，孤电子对数=
=1，所以分子为V形，SnCl
4含有的价层电子数为50，并含有5个原子，与之为电子体的离子有SO
42-、SiO
44-等，
故答案为：V形； SO
42-、SiO
44-等；
③乙二胺分子中氮原子形成4个δ键，价层电子对数为4，氮原子为sp
3杂化，乙二胺分子间可以形成氢键，物质的熔沸点较高，而三甲胺分子间不能形成氢键，熔沸点较低，
故答案为：sp
3杂化；乙二胺分子间可以形成氢键，三甲胺分子间不能形成氢键；
④）②中所形成的配离子中含有的化学键中N与Cu之间为配位键，C-C键为非极性键，C-N、N-H、C-H键为极性键，不含离子键，
故答案为：abd；
⑤从CuCl的晶胞可以判断，每个铜原子与4个Cl距离最近且相等，即Cu的配位数为4，根据化学式可知Cl的配位数也为4，
故答案为：4．
❷ 请完成下列各题：第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与
解：（1）Ga原子是31号元素，根据构造原理写出Ga原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1，
故答案为：1s22s22p63s23p63d104s24p1；
（2）GaN晶体结构与单晶硅相似，GaN属于原子晶体，每个Ga原子与4个N原子相连，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体，
故答案为：4；正四面体；
（3）GaN晶体结构与单晶硅相似，GaN属于原子晶体，故答案为：原子；
（4）碳原子可以形成4个碳碳单键，所以每个As应与4个Ga相连，金刚石中含有的化学键是共价键，所以该物质中含有的化学键是极性键，单键为σ键，又因为砷原子还有1对孤对电子，而镓原子有容纳孤对电子的空轨道，所以还可以构成配位键，
故答案为：BEG；
（5）晶胞中Ga位于体内，数目为4，As原子位于顶点和面心，数目为8×
+6×
=4，则晶胞质量为
| 4×(70+75)g/mol |
| 6.02×1023mol?1 |
，晶胞体积为（564×10
-10cm）
33，则密度为
| 4×(70+75) |
| 6.02×1023×(564×10?10)3 |
=5.37g/cm
3；
a位置As原子与b位置Ga原子之间的距离为晶体体对角线的
，则距离为
×
❸ 新型的半导体材料有何作用
美国佛罗里达大学研究人员宣布，他们在新半导体的设计方面取得突破，从而率先为一种新型电子开关开发出重要的基础材料，这种基础材料很可能提供平稳的不间断的电力供应。这项研究成果可能成为21世纪汽车工业和尖端军事硬件使用的重要材料，行业杂志《化合物半导体》对这项研究成果作了介绍。 佛罗里达大学四位材料学教授和两位化学工程教授用氮化镓材料设计了一种称之为“金属氧化物半导体场效应晶体管”的基本电子结构。 佛罗里达大学的科学家和圣巴巴拉加州大学的科学家们还最先设计并展示了一种与之相关的“双极晶体管”。 参加研究的佛罗里达大学材料学教授斯蒂芬·皮尔顿说，这两项研究成果是朝着制造氮化镓半导体开关迈出的重要步骤。这种开关将确保供电系统今后能实现高质量的电力输送。 他说，美国供电系统目前使用大型机械中继开关和硅开关输送电力，但是这两种开关都存在严重的缺陷。用氮化镓开关替代上述两种开关输送电力可以收到良好的效果。 皮尔顿说：“如果能用电子开关替换全部机械中继开关和硅开关，输送电力的速度更快，问题也大大减少。”
❹ 半导体材料的新型有机半导体材料
其结构稳定，拥有卓越的电学特性，而且成本低廉，可被用于制造现代电子设备中广泛使用的场效应晶体管。
科学家们表示，最新研究有望让人造皮肤、智能绷带、柔性显示屏、智能挡风玻璃、可穿戴的电子设备和电子墙纸等变成现实。
昂贵的原因主要因为电视机、电脑和手机等电子产品都由硅制成，制造成本很高;而碳基(塑料)有机电子产品不仅制造方便、成本低廉，而且轻便柔韧可弯曲，代表了“电子设备无处不在”这一未来趋势。
以前的研究表明，碳结构越大，其性能越优异。但科学家们一直未曾研究出有效的方法来制造更大的、稳定的、可溶解的碳结构以进行研究，直到此次祖切斯库团队研制出这种新的用于制造晶体管的有机半导体材料。
有机半导体是一种塑料材料，其拥有的特殊结构让其具有导电性。在现代电子设备中，电路使用晶体管控制不同区域之间的电流。科学家们对新的有机半导体材料进行了研究并探索了其结构与电学属性之间的关系。 
❺ 新型发热材料--PTCPTC是一种新型的半导体陶瓷材料，它以钛酸钡为主，渗入多种物质后加工而成，目前家用的
（1）PTC有一个根据需要设定的温度，低于这个温度时，其电阻随温度的升高而减小，高于这个温度时，电阻值则随温度的升高而增大，我们把这个设定的温度叫“居里点温度”．根据图象可知居里点温度为 100℃．
（2）根据图象，温度高于165℃，电阻值则随温度的升高而增大，根据公式P= 可知，功率减小；功率减小后，温度会降低． 故答案为：100；增大；减小；降低； （3）如图所示：当环境温度正常时，指示灯亮；当环境温度超过PTC电阻的居里点温度时，由于电阻变化，导致电磁铁磁性减弱，使警铃响． （4）控制电路的电池长时间工作，电流减小，磁性减弱，可能造成误动作．控制电路部分始终耗电．
❻ 在第三次工业革命的今天，新材料的发现和运用尤为重要。我国某科研机构发现一种新型的半导体材料，目前已
（1）负（3分）；（2）电路中的电流强度（电流表的读数）I，M、N间的电压（电流表的读数或霍耳电压）U（各2分）； （3） （3分）。
❼ 半导体芯片是一种什么新型材料，它有哪些作用
半导体的材料：常温下导电性能介于导体（conctor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 半导体的作用： （1）集成电路 它是半导体技术发展中最活跃的一个领域，已发展到大规模集成的阶段。在几平方毫米的硅片上能制作几万只晶体管，可在一片硅片上制成一台微信息处理器，或完成其它较复杂的电路功能。集成电路的发展方向是实现更高的集成度和微功耗，并使信息处理速度达到微微秒级。（2）微波器件半导体微波器件包括接收、控制和发射器件等。毫米波段以下的接收器件已广泛使用。在厘米波段，发射器件的功率已达到数瓦，人们正在通过研制新器件、发展新技术来获得更大的输出功率。 （3）光电子器件 半导体发光、摄象器件和激光器件的发展使光电子器件成为一个重要的领域。它们的应用范围主要是：光通信、数码显示、图象接收、光集成等。 半导体的特点： （1）电阻率的变化受杂质含量的影响极大。例如，硅中只含有亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的千分之一。如果所含杂质的类型不同，导电类型也不同。由此可见，半导体的导电性与所含的微量杂质有着非常密切的关系。（2）电阻率受外界条件（如热、光等）的影响很大。温度升高或受光照射时均可使电阻率迅速下降。一些特殊的半导体在电场或磁场的作用下，电阻率也会发生改变。
❽ 材料物理与化学新型功能材料,半导体材料 方向哪个比较好
你的“好”是怎么定义的？
发论文还是找工作？如果是锂电、光电材料、催化这一块发论文还是容易的，如果是招工作锂电在逐渐兴起，半导体材料如果是外延膜的话上海的很多代工厂可以做为保底的offer，还可以去LED芯片厂，待遇嘛就一般，硅单晶的话大家基本都是走太阳能这个行业，最近不景气啊。
❾ （12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅
| （12分）
⑴1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 （或[Ar]3d 10 4s 2 4p 1 ）（1分）
正四面体（1分）原子晶体（1分） K^S*5U.C#O%
⑵能够接受版孤电子对的空轨权道（1分）
⑶① O >N >H（1分）
②V形（1分） SO 4 2- 、SiO 4 4- 等（1分）
③sp 3 杂化（1分）乙二胺分子间可以形成氢键，三甲胺分子间不能形成氢键（1分）
④abd（2分）⑤4（1分）
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