igbt设计
⑴ IGBT是什么 怎么分类
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
分类
1、低功率IGBT
IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为满足家电行业的发展需求，摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品，实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。
2、U-IGBT
U（沟槽结构）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞内部形成沟槽式栅极。采用沟道结构后，可进一步缩小元胞尺寸，减少沟道电阻，进步电流密度，制造相同额定电流而芯片尺寸最少的产品。现有多家公司生产各种U—IGBT产品，适用低电压驱动、表面贴装的要求。
3、NPT-IGBT
NPT（非穿通型）--IGBT采用薄硅片技术，以离子注进发射区代替高复杂、高本钱的厚层高阻外延，可降低生产本钱25%左右，耐压越高本钱差越大，在性能上更具有特色，高速、低损耗、正温度系数，无锁定效应，在设计600—1200V的IGBT时，NPT—IGBT可靠性最高。
(1)igbt设计扩展阅读：
发展历程
1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构（P-N-P-N四层组成），其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。
80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS（双扩散形成的金属-氧化物-半导体）工艺被采用到IGBT中来。在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT（非穿通）型设计。
90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成（LSI）工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通（PT）型芯片结构。在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。
硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是采用非穿通（NPT）结构，继而变化成弱穿通（LPT）结构，这就使安全工作区（SOA）得到同表面栅结构演变类似的改善。
⑵ IGBT驱动设计规则是怎样的
(1)采用合适的开通和关断电阻｡
(2)考虑过压和反向恢复电流｡
(3)IGBT栅极(门极GATE)和发射极内的保护措施容｡
(4)必须进行防静电处理｡
(5)电路的保护措施:包括门极和发射极间的电阻(4.7～10kΩ)
⑶ 贴片IGBT如何设计散热结构
需要在C极焊盘周围增加填充，再打上很多过孔。给你一个PCB库文件。
⑷ 用六个IGBT设计出的逆变电路，用什么驱动芯片驱动这六个IGBT要一个驱动芯片驱动六个IGBT的
请你具体的说下你的实际使用情况，你的IGBT是单管还是对管？你的逆变器主电路拓扑是什么样的？你说要用一个驱动芯片驱动6个IGBT，这是不现实的。
⑸ 用M57926L设计IGBT的驱动电路，要详细的说明各个引脚的作用
管脚说明：
1：IGBT电流检测端，接IGBT的集电极。
2：盲区时间设定端。
3：未连接。回
4：驱动器的辅助电源Vp的正答端，Vcc
5：驱动器输出端，接IGBT的栅极。
6：驱动器的辅助电源Vp的负端，Vee。
7：未连接。
8：故障信号输出端。
9：短路保护后再次启动时间设定端。
10：软关断时间设定端。
11、12：空脚。
13、14：信号输入端。
⑹ 现在想用IGBT设计一个逆变电路 控制电压是0-15V的方波 频率大概30khz 不知道IGBT如何选型
主要是从额定电来压源和额定电流考虑。建议你留30-50%的余量，余量大了固然安全，但成本高，余量太小损坏率增加不耐用。如果是三相的逆变电路，有6合一的，而且续流二极管都做在里面了，比6个分立的成本要低。
⑺ 如何设计一个IGBT或者MOSFET驱动
近几年来MOSFET和IGBT在变频调速装置、开关电源、不间断电源等各种高性能、低损耗和低噪音的场合得到了广泛的应用。这些功率器件的运行状态直接决定了设备的优劣，而性能良好的驱动电路又是开关器件安全可靠运行的重要保障。在设计MOSFET和IGBT的驱动电路时，应考虑一下几个因素： （1）要有一定的驱动功率。也就是说，驱动电路能提供足够的电流，在所要求的开通时间和关断时间内对MOSFET和IGBT的输入电容Ciss充电和放电。输入电容Ciss包括栅——源之间的电容CGS和栅——漏之间的电容CGD。 MOSFET和 IGBT的开通和关断实质上是对其输入电容的充放电过程，栅极电压VGS的上升时间tr和下降时间tf决定输入回路的时间常数，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是输入回路电阻，其中包括驱动电源的内阻Ri。从上式中可以知道驱动电源的内阻越小，驱动速度越快。 （2）驱动电路延迟时间要小。开关频率越高，延迟时间要越小。 （3）大功率IGBT在关断时，有时须加反向电压，以防止受到干扰时误开通。 （4）驱动信号有时要求电气隔离。 以PWM DC-DC全桥变换器为例，其同一桥臂的两只开关管的驱动信号S上和S下相差1800，是刚好相反的，即一只开关管开通，另一只开关管要关断，或者同时关断。其中，两只上臂的开关管之间和下臂的开关管必须隔离。对于中小功率的驱动电路，用脉冲变压器的方法实现隔离最为简单，而在大功率的应用场合，则要使用集成驱动器驱动。