快閃記憶體發明

1. 快閃記憶體mp3播放器是什麼時候發明的

MP3播放機的開山始祖-韓國

1997年春季的某一天，尚任職於三星的文光洙(1945年次，現年已60歲)，在一回次出差回韓國的飛答機上，以筆記本電腦(筆記本電腦)開啟同事寄來的簡報，該簡報結集文字、圖像與音樂。文光洙閱覽這份簡報時，突然腦中浮現:『若將此壓縮音樂取下，獨立製造可隨身攜帶的機器播放，不就是最好的音樂隨身聽嗎!』

半年後，爆發亞洲金融風暴，身為1萬多名員工主管的文光洙被迫提早退休，時年52歲。他帶著製造音樂隨身聽的心願，在一個偶然機會，來到系統整合商『Saehan情報系統』(之後將MP3業務獨立成立MPMan公司)，1997年底發明了Flash-based MP3播放機，並於隔年推出，為全球第一台MP3播放機。

取名MPMan，系文光洙意欲將此產品發揚成SONY的Walkman一般名聞遐邇，而將MP3與Walkman兩字結合。

2. 快閃記憶體是誰發明的拜託各位大神

快閃記憶體的發展歷史 在1984年，東芝公司的發明人Fujio Masuoka 首先提出了快速快閃記憶體存儲器回(此處簡稱快閃記憶體)的概念。答與傳統電腦內存不同，快閃記憶體的特點是非易失性(也就是所存儲的數據在主機掉電後不會丟失)，其記錄速度也非常快。 Intel是世界上第一個生產快閃記憶體並將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256K bit快閃記憶體晶元。它如同鞋盒一樣大小，並被內嵌於一個錄音機里。後來，Intel發明的這類快閃記憶體被統稱為NOR快閃記憶體。它結合EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)兩項技術，並擁有一個SRAM介面。 第二種快閃記憶體稱為NAND快閃記憶體。它由日立公司於1989年研製，並被認為是NOR快閃記憶體的理想替代者。NAND快閃記憶體的寫周期比NOR快閃記憶體短90%，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。NAND的存儲單元只有NOR的一半，在更小的存儲空間中NAND 獲得了更好的性能。鑒於NAND出色的表現，它常常被應用於諸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存儲卡上。

3. 內存卡是誰發明的

桀岡富士雄。

桀岡富士雄：英文名Fujio Masuoka，出生於1943年，日本人，快閃記憶體的發明者。在任東芝公司生產線中層管理人員時，即一心要發明能象軟磁碟那樣可插取、具有「磁帶」存儲功能的存儲器。

桀岡富士雄於1971年加入東芝公司。大約在1984年，桀岡富士雄發明了一種獨特的存儲器件，鑒於桀岡的業績，東芝擬提拔他擔任公司最高技術職務，但桀岡拒絕接受，並於1994年出任東北大學電氣通信研究所教授，進一步研究快閃記憶體技術。2002年，桀岡作為「快閃記憶體之父」入選世界知名商業雜志《福布斯》國際版封面人物。

(3)快閃記憶體發明擴展閱讀：

桀岡富士雄發明的快閃記憶體是世界上被廣泛用於數碼相機、手機、汽車、洗衣機等電器的必要存儲裝置。具有隻讀存儲器(ROM)、隨機存取存儲器(RAM)和電可擦除的優點，讀存儲器(EEPROM)器件的理想特徵。

與RAM和EEPROM一樣，可以對這些新穎的器件或同類的ROM進行寫、擦除和重寫數據的操作，器件能將可恢復的靜態數據保存幾乎無限長時間。此外，與RAM和ROM相比，桀岡富士雄的存儲器容量容易提高。與ROM和EEPROM相比，該晶元能長時期存儲數據，不需要備份電池或外部電源。

4. NAND快閃記憶體是由誰發明的又是誰最先生產的

東芝發明的。

5. 我們通常所說的「U盤」「快閃記憶體檔」是由哪個國家所發明的

中國

2004年12月7日，朗科獲得美國國家專利局正式授權的快閃記憶體檔基礎發明專利，美國專利號US6829672。這一專利權的獲得，最終結束了這場爭奪.中國朗科公司才是U盤的全球第一個發明者.

6. tf卡是哪國發明的

美國。

TF卡又稱microSD，是一種極細小的快閃記憶體卡，由SanDisk（閃迪）公司發明創立。SanDisk 公司是全球最大的閃速數據存儲卡產品供應商，公司總部設在美國加利福尼亞州的苗必達市。

7. 既然U盤是朗科發明的,那麼裡面的快閃記憶體晶元是誰發明的

只是到做flash的廠家，以前我們做U盤多用，三星、現代、鎂光的flash

8. u盤是誰發明的

中國的朗科科技是U盤發明者。

1998年至2000年，有很多公司聲稱自己是第一個發明了USB快閃記憶體檔。包括中國朗科科技，以色列M-Systems，新加坡Trek公司。但是真正獲得U盤基礎性發明專利的卻是中國朗科公司。

2002年7月，朗科公司「用於數據處理系統的快閃電子式外存儲方法及其裝置」（專利號：ZL 99 1 17225.6）獲得國家知識產權局正式授權。該專利填補了中國計算機存儲領域20年來發明專利的空白。該專利權的獲得引起了整個存儲界的極大震動。

2004年12月7日，朗科獲得美國國家專利局正式授權的快閃記憶體檔基礎發明專利，美國專利號US6829672。這一專利權的獲得，最終結束了這場爭奪。中國朗科公司才是U盤的全球第一個發明者。

美國時間2006年2月10日，朗科委託美國摩根路易斯律師向美國德克薩斯州東區聯邦
法院遞交訴狀，控告美國PNY公司侵犯了朗科的美國專利（美國專利號US6829672）。

2008年2月，朗科與PNY達成庭外和解。朗科向PNY簽訂專利許可協議，PNY向朗科公司繳納專利許可費用1000萬美元。這是中國企業第一次在美國本土收到巨額專利許可費用，也進一步證明了朗科是U盤的發明者。

9. 快閃記憶體是那個發明的

就是朗科，有了快閃記憶體以後不要軟碟機了。

10. 快閃記憶體的發展過程

在1984年，東芝公司的發明人舛岡富士雄首先提出了快速快閃記憶體存儲器（此處簡稱快閃記憶體）的概念。與傳統電腦內存不同，快閃記憶體的特點是非易失性（也就是所存儲的數據在主機掉電後不會丟失），其記錄速度也非常快。
Intel是世界上第一個生產快閃記憶體並將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256K bit快閃記憶體晶元。它如同鞋盒一樣大小，並被內嵌於一個錄音機里。後來，Intel發明的這類快閃記憶體被統稱為NOR快閃記憶體。它結合EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）兩項技術，並擁有一個SRAM介面。
第二種快閃記憶體稱為NAND快閃記憶體。它由日立公司於1989年研製，並被認為是NOR快閃記憶體的理想替代者。NAND快閃記憶體的寫周期比NOR快閃記憶體短90%，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。NAND的存儲單元只有NOR的一半，在更小的存儲空間中NAND獲得了更好的性能。鑒於NAND出色的表現，它常常被應用於諸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存儲卡上。 快閃記憶體市場仍屬於群雄爭霸的未成熟時期。三星、日立、Spansion和Intel是這個市場的四大生產商。
由於戰略上的一些錯誤，Intel在第一次讓出了它的榜首座椅，下落至三星、日立和Spansion之後。
AMD快閃記憶體業務部門Spansion同時生產NAND和NOR快閃記憶體。它上半年的NOR快閃記憶體產量幾乎與Intel持平，成為NOR快閃記憶體的最大製造商。該公司在上半年贏利為13億美元，幾乎是它整個公司利潤額（25億美元）的一半以上。
總體而言，Intel和AMD在上半年成績喜人，但三星和日立卻遭受挫折。
據市場調研公司iSuppli所做的估計，全球的快閃記憶體收益將達到166億美元，比2003年（116.4億美元）上漲46%。消息者對數碼相機、USB sticks和壓縮式MP3播放器內存的需求將極大推動快閃記憶體的銷售。據預測，2005年快閃記憶體的銷售額將達到175億美元。不過，iSuppli估計，2005年至2008年快閃記憶體的利潤增漲將有所回落，最高將達224億美元。 與許多壽命短小的信息技術相比，快閃記憶體以其16年的發展歷程，充分顯示了其「老前輩」的作風。九十年代初，快閃記憶體才初入市場；至2000年，利益額已突破十億美元。英飛凌科技快閃記憶體部門主任，彼得曾說：「就快閃記憶體的生命周期而言，我們仍處於一個上升的階段。」英飛凌相信，快閃記憶體的銷售仍具有上升空間，並在醞釀加入對該市場的投入。英飛凌宣布，其位於德累斯頓的200毫米DRAM工廠已經開始生產512Mb NAND兼容快閃記憶體晶元。到2004年底，英飛凌公司計劃採用170納米製造工藝，每月製造超過10,000片晶圓。而2007年，該公司更希望在NAND市場成為前三甲。
此外，Intel技術與製造集團副總載Stefan Lai認為，在2008年之前，快閃記憶體將不可替代。2006年，Intel將首先採用65納米技術；到2008年，正在研發的新一代45納米技術將有望投放市場。Stefan Lai覺得，預測仍然比較淺顯，或許32納米、22納米技術完全有可能實現。但Stefan Lai也承認，2008年至2010年，新的技術可能會取而代之。
盡管對快閃記憶體替代品的討論越來越激勵，快閃記憶體仍然受到市場的重視。未來的替代品不僅必須是類似快閃記憶體一樣的非易失性存儲器，而且在速度和寫周期上略勝一籌。此外，生產成本也應該相對低廉。由於製造技術還不成熟，新的替代品不會對快閃記憶體構成絕對的威脅。下面就讓我們來認識一下幾種能的替代產品：