❶ （1）第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似
（1）Ga原子是31號元素，Ga原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p1；GaN晶體結構與單晶硅相似，GaN屬於原子晶體，與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為正四面體，
故答案為：1s22s22p63s23p63d104s24p1；正四面體；原子；
（2）微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對的原子或離子，另一方是具有能夠接受孤電子對的空軌道的原子或離子，
故答案為：能夠接受孤電子對的空軌道；
（3）①在元素周期表中同一周期從左到右元素的電負性逐漸增強，同一主族從上到下元素的電負性逐漸減弱，可知電負性強弱順序為O＞N＞H，
故答案是：O＞N＞H；
②SO2分子中含有2個δ鍵，孤電子對數=
=1，所以分子為V形，SnCl
4含有的價層電子數為50，並含有5個原子，與之為電子體的離子有SO
42-、SiO
44-等，
故答案為：V形； SO
42-、SiO
44-等；
③乙二胺分子中氮原子形成4個δ鍵，價層電子對數為4，氮原子為sp
3雜化，乙二胺分子間可以形成氫鍵，物質的熔沸點較高，而三甲胺分子間不能形成氫鍵，熔沸點較低，
故答案為：sp
3雜化；乙二胺分子間可以形成氫鍵，三甲胺分子間不能形成氫鍵；
④）②中所形成的配離子中含有的化學鍵中N與Cu之間為配位鍵，C-C鍵為非極性鍵，C-N、N-H、C-H鍵為極性鍵，不含離子鍵，
故答案為：abd；
⑤從CuCl的晶胞可以判斷，每個銅原子與4個Cl距離最近且相等，即Cu的配位數為4，根據化學式可知Cl的配位數也為4，
故答案為：4．
❷ 請完成下列各題：第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與
解：（1）Ga原子是31號元素，根據構造原理寫出Ga原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p1，
故答案為：1s22s22p63s23p63d104s24p1；
（2）GaN晶體結構與單晶硅相似，GaN屬於原子晶體，每個Ga原子與4個N原子相連，與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為正四面體，
故答案為：4；正四面體；
（3）GaN晶體結構與單晶硅相似，GaN屬於原子晶體，故答案為：原子；
（4）碳原子可以形成4個碳碳單鍵，所以每個As應與4個Ga相連，金剛石中含有的化學鍵是共價鍵，所以該物質中含有的化學鍵是極性鍵，單鍵為σ鍵，又因為砷原子還有1對孤對電子，而鎵原子有容納孤對電子的空軌道，所以還可以構成配位鍵，
故答案為：BEG；
（5）晶胞中Ga位於體內，數目為4，As原子位於頂點和面心，數目為8×
+6×
=4，則晶胞質量為
| 4×(70+75)g/mol |
| 6.02×1023mol?1 |
，晶胞體積為（564×10
-10cm）
33，則密度為
| 4×(70+75) |
| 6.02×1023×(564×10?10)3 |
=5.37g/cm
3；
a位置As原子與b位置Ga原子之間的距離為晶體體對角線的
，則距離為
×
❸ 新型的半導體材料有何作用
美國佛羅里達大學研究人員宣布，他們在新半導體的設計方面取得突破，從而率先為一種新型電子開關開發出重要的基礎材料，這種基礎材料很可能提供平穩的不間斷的電力供應。這項研究成果可能成為21世紀汽車工業和尖端軍事硬體使用的重要材料，行業雜志《化合物半導體》對這項研究成果作了介紹。 佛羅里達大學四位材料學教授和兩位化學工程教授用氮化鎵材料設計了一種稱之為「金屬氧化物半導體場效應晶體管」的基本電子結構。 佛羅里達大學的科學家和聖巴巴拉加州大學的科學家們還最先設計並展示了一種與之相關的「雙極晶體管」。 參加研究的佛羅里達大學材料學教授斯蒂芬·皮爾頓說，這兩項研究成果是朝著製造氮化鎵半導體開關邁出的重要步驟。這種開關將確保供電系統今後能實現高質量的電力輸送。 他說，美國供電系統目前使用大型機械中繼開關和硅開關輸送電力，但是這兩種開關都存在嚴重的缺陷。用氮化鎵開關替代上述兩種開關輸送電力可以收到良好的效果。 皮爾頓說：「如果能用電子開關替換全部機械中繼開關和硅開關，輸送電力的速度更快，問題也大大減少。」
❹ 半導體材料的新型有機半導體材料
其結構穩定，擁有卓越的電學特性，而且成本低廉，可被用於製造現代電子設備中廣泛使用的場效應晶體管。
科學家們表示，最新研究有望讓人造皮膚、智能綳帶、柔性顯示屏、智能擋風玻璃、可穿戴的電子設備和電子牆紙等變成現實。
昂貴的原因主要因為電視機、電腦和手機等電子產品都由硅製成，製造成本很高;而碳基(塑料)有機電子產品不僅製造方便、成本低廉，而且輕便柔韌可彎曲，代表了「電子設備無處不在」這一未來趨勢。
以前的研究表明，碳結構越大，其性能越優異。但科學家們一直未曾研究出有效的方法來製造更大的、穩定的、可溶解的碳結構以進行研究，直到此次祖切斯庫團隊研製出這種新的用於製造晶體管的有機半導體材料。
有機半導體是一種塑料材料，其擁有的特殊結構讓其具有導電性。在現代電子設備中，電路使用晶體管控制不同區域之間的電流。科學家們對新的有機半導體材料進行了研究並探索了其結構與電學屬性之間的關系。 
❺ 新型發熱材料--PTCPTC是一種新型的半導體陶瓷材料，它以鈦酸鋇為主，滲入多種物質後加工而成，目前家用的
（1）PTC有一個根據需要設定的溫度，低於這個溫度時，其電阻隨溫度的升高而減小，高於這個溫度時，電阻值則隨溫度的升高而增大，我們把這個設定的溫度叫「居里點溫度」．根據圖象可知居里點溫度為 100℃．
（2）根據圖象，溫度高於165℃，電阻值則隨溫度的升高而增大，根據公式P= 可知，功率減小；功率減小後，溫度會降低． 故答案為：100；增大；減小；降低； （3）如圖所示：當環境溫度正常時，指示燈亮；當環境溫度超過PTC電阻的居里點溫度時，由於電阻變化，導致電磁鐵磁性減弱，使警鈴響． （4）控制電路的電池長時間工作，電流減小，磁性減弱，可能造成誤動作．控制電路部分始終耗電．
❻ 在第三次工業革命的今天，新材料的發現和運用尤為重要。我國某科研機構發現一種新型的半導體材料，目前已
（1）負（3分）；（2）電路中的電流強度（電流表的讀數）I，M、N間的電壓（電流表的讀數或霍耳電壓）U（各2分）； （3） （3分）。
❼ 半導體晶元是一種什麼新型材料，它有哪些作用
半導體的材料：常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。 半導體的作用： （1）集成電路 它是半導體技術發展中最活躍的一個領域，已發展到大規模集成的階段。在幾平方毫米的矽片上能製作幾萬只晶體管，可在一片矽片上製成一台微信息處理器，或完成其它較復雜的電路功能。集成電路的發展方向是實現更高的集成度和微功耗，並使信息處理速度達到微微秒級。（2）微波器件半導體微波器件包括接收、控制和發射器件等。毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。在厘米波段，發射器件的功率已達到數瓦，人們正在通過研製新器件、發展新技術來獲得更大的輸出功率。 （3）光電子器件 半導體發光、攝象器件和激光器件的發展使光電子器件成為一個重要的領域。它們的應用范圍主要是：光通信、數碼顯示、圖象接收、光集成等。 半導體的特點： （1）電阻率的變化受雜質含量的影響極大。例如，硅中只含有億分之一的硼，電阻率就會下降到原來的千分之一。如果所含雜質的類型不同，導電類型也不同。由此可見，半導體的導電性與所含的微量雜質有著非常密切的關系。（2）電阻率受外界條件（如熱、光等）的影響很大。溫度升高或受光照射時均可使電阻率迅速下降。一些特殊的半導體在電場或磁場的作用下，電阻率也會發生改變。
❽ 材料物理與化學新型功能材料,半導體材料 方向哪個比較好
你的「好」是怎麼定義的？
發論文還是找工作？如果是鋰電、光電材料、催化這一塊發論文還是容易的，如果是招工作鋰電在逐漸興起，半導體材料如果是外延膜的話上海的很多代工廠可以做為保底的offer，還可以去LED晶元廠，待遇嘛就一般，硅單晶的話大家基本都是走太陽能這個行業，最近不景氣啊。
❾ （12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅
| （12分）
⑴1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 （或[Ar]3d 10 4s 2 4p 1 ）（1分）
正四面體（1分）原子晶體（1分） K^S*5U.C#O%
⑵能夠接受版孤電子對的空軌權道（1分）
⑶① O >N >H（1分）
②V形（1分） SO 4 2- 、SiO 4 4- 等（1分）
③sp 3 雜化（1分）乙二胺分子間可以形成氫鍵，三甲胺分子間不能形成氫鍵（1分）
④abd（2分）⑤4（1分）
熱點內容
美發店認證
發布：2021-03-16 21:43:38
瀏覽：443
物業糾紛原因
發布：2021-03-16 21:42:46
瀏覽：474
知名明星確診
發布：2021-03-16 21:42:04
瀏覽：14
知名書店品牌
發布：2021-03-16 21:39:09
瀏覽：949
圖書天貓轉讓
發布：2021-03-16 21:38:26
瀏覽：707
寶寶水杯品牌
發布：2021-03-16 21:35:56
瀏覽：837
| | |
