新型內存

① 內存條容量有哪幾種

來點實際的，現在比較常用的是sd和ddr兩種
ddr是非同步傳輸數據的英文縮寫，就是讀取來回都有數據，要比sd的要快一些，所以現在大多都用ddr的，而且sd已經停產哦，，老機子有沒有辦法用ddr所以sd反而貴，，
ddr出來時候是雙面晶元的，現在技術早就發展到單面晶元，又根據頻率不同發展經過了ddr133
ddr266 ，，333， 400等，再後來現在主流ddr2系列了
不過也出來來了ddr3系列自然是數字越大越好，
不過得看你機器是否兼容了

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我們平常所說的「內存」大都是指「內存條」。那麼什麼是「內存條」呢？常見的「內存條」又有哪些類型呢？

1．內存條的誕生

當CPU在工作時，需要從硬碟等外部存儲器上讀取數據，但由於硬碟這個「倉庫」太大，加上離CPU也很「遠」，運輸「原料」數據的速度就比較慢，導致CPU的生產效率大打折扣！為了解決這個問題，人們便在CPU與外部存儲器之間，建了一個「小倉庫」—內存。

內存雖然容量不大，一般只有幾十MB到幾百MB，但中轉速度非常快，如此一來，當CPU需要數據時，事先可以將部分數據存放在內存中，以解CPU的燃眉之急。由於內存只是一個「中轉倉庫」，因此它並不能用來長時間存儲數據。

2．常見的內存條

目前PC中所用的內存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM、DDR2等四種類型。

曾經主流——SDRAM

SDRAM（Synchronous DRAM）即「同步動態隨機存儲器」。SDRAM內存條的兩面都有金手指，是直接插在內存條插槽中的，因此這種結構也叫「雙列直插式」，英文名叫「DIMM」。目前絕大部分內存條都採用這種「DIMM」結構。

隨著處理器前端匯流排的不斷提高，SDRAM已經無法滿足新型處理器的需要了，早已退出了主流市場。
DDR SDRAM（簡稱DDR）是採用了DDR（Double Data Rate SDRAM，雙倍數據速度）技術的SDRAM，與普通SDRAM相比，在同一時鍾周期內，DDR SDRAM能傳輸兩次數據，而SDRAM只能傳輸一次數據。

從外形上看DDR內存條與SDRAM相比差別並不大，它們具有同樣的長度與同樣的引腳距離。只不過DDR內存條有184個引腳，金手指中也只有一個缺口，而SDRAM內存條是168個引腳，並且有兩個缺口。

根據DDR內存條的工作頻率，它又分為DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多種類型：與SDRAM一樣，DDR也是與系統匯流排頻率同步的，不過因為雙倍數據傳輸，因此工作在133MHz頻率下的DDR相當於266MHz的SDRAM，於是便用DDR266來表示。

小提示：工作頻率表示內存所能穩定運行的最大頻率，例如PC133標準的SDRAM的工作頻率為133MHz，而DDR266 DDR的工作頻率為266MHz。對於內存而言，頻率越高，其帶寬越大。

除了用工作頻率來標示DDR內存條之外，有時也用帶寬值來標示，例如DDR 266的內存帶寬為2100MB/s，所以又用PC2100來標示它，於是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。

小提示：內存帶寬也叫「數據傳輸率」，是指單位時間內通過內存的數據量，通常以GB/s表示。我們用一個簡短的公式來說明內存帶寬的計算方法：內存帶寬＝工作頻率×位寬/8×n（時鍾脈沖上下沿傳輸系數，DDR的系數為2）。

由於DDR內存條價格低廉，性能出色，因此成為今日主流的內存產品。
過時的貴族——RDRAM

RDRAM（存儲器匯流排式動態隨機存儲器）是Rambus公司開發的一種新型DRAM。RDRAM雖然位寬比SDRAM及DDR的64bit窄，但其時鍾頻率要高得多。

從外觀上來看，RDRAM內存條與SDRAM、DDR SDRAM內存條有點相似。

從技術上來看，RDRAM是一種比較先進的內存，但由於價格高，在市場上普及不是很實際。如今的RDRAM已經退出了普通台式機市場。

最新的內存——DDR2

DDR2是英特爾極力推動的新一代內存，DDR2構建在DDR的基礎上，通過增加4位預取機制使得在核心頻率不變的條件下將數據帶寬提升4倍，為效能提升掃清了障礙。為提高兼容性，DDR2將終結器直接整合於內存顆粒中，這也有效降低了主板的製造成本。此外，DDR2在延遲方面的機制也有所改變，增加了AL附加延遲的概念，這不可避免導致DDR2延遲時間增加。

高頻率、高帶寬是DDR2最大的優點，它將有DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667和DDR2-800等規范，最高帶寬分別達到3.2GB/s、4.2GB/s、5.3GB/s和6.4GB/s，比目前的DDR內存有大幅度提升，但它們的核心頻率仍保持在很低的水平，使得產品可在更低的電壓下運作（DDR工作在2.5V下，DDR2僅需要1.8V工作電壓）、功耗也比DDR有了明顯的降低。不過，DDR2的延遲周期反而比DDR長，後者的CL延遲一般是2、2.5和3個周期，而DDR2一般為3、4和5個周期，再加上AL附加延遲（附加延遲為0～4個周期），使得DDR2讀數據的延遲時間

② 內存類型2代和3代區別大嗎

看你電腦支持什麼頻率。
如果你主板+CPU支持1333甚至更高頻率， 那麼肯定是DDR3好了。
如果你回電答腦只是用667 800或者1033的， 如果你電腦能用DDR2就用DDR2.

因為如果頻率相同， DDR2的內存 存取延遲是沒DDR3那麼高，DDR沒DDR2高。

如果還有一個缺點就是現在內存基本普及DDR3， 同容量老內存現在甚至比新型內存貴的。

③ 新型內存卡怎麼樣用

1、首先需要把手機的後殼打開找到內存卡的卡槽。 2、然後將內存卡插入，然後裝好手機專，開機屬進入設置--存儲，選擇「安裝SD卡」。 3、然後將存儲設置默認為SD即可，這樣的話，以後手機的緩存就會進入SD卡，可以減少系統內存的佔用。

④ 世界上近一半人體內存在新型病毒

恩，總算又學到一個知識。網路上看到了這個發現。。。

⑤ 復旦大學研發什麼新型存儲技術

近日，復旦大學某團隊研發出具有顛覆性的二維半導體准非易失存儲原型器件，開創了第三類存儲技術，解決了國際半導體電荷存儲技術中「寫入速度」與「非易失性」難以兼得的難題。

目前半導體電荷存儲技術主要有兩類，第一類是易失性存儲，例如計算機的內存，可在幾納秒左右寫入數據，但掉電後數據會立即消失；第二類是非易失性存儲，例如U盤，需要幾微秒到幾十微秒才能把數據保存下來，但在寫入數據後無需額外能量可保存10年。

這項研究創新性地選擇了二硫化鉬、二硒化鎢、二硫化鉿、氮化硼等多重二維材料堆疊構成了半浮柵結構晶體管，製成階梯能谷結構的范德瓦爾斯異質結。其中一部分如同一道可隨手開關的門，電子易進難出；另一部分則像一面密不透風的牆，電子難以進出。對「寫入速度」與「非易失性」的調控，就在於這兩部分的比例。這一重要突破，從技術定義、結構模型到性能分析的全過程，均由復旦大學科研團隊獨立完成。

⑥ 我有幾條舊的內存條可以和新型的機和內存條使用的嗎

那要看你的內存是SDR還是DDR的了
如果是SDR就要看主板是否支持SDR插口了
如過是DDR的就沒什麼問題了
不過一般只有兩個槽,而且要是舊的主頻低,新的也會被被迫降頻....

⑦ 內存類型有幾種SDRAM是什麼意思DDR又是什麼意思

嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也常看到DDR SDRAM，就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。 SDRAM在一個時鍾周期內只傳輸一次數據，它是在時鍾的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鍾周

⑧ 內存條dlmm是什麼意思

Dual-Inline-Memory-Moles,即雙列直插式存儲模塊。這是在奔騰CPU推出後出現的新型內存條，DIMM提供了64位的數據通道，因此它在奔騰主板上可以單條使用。它有168條引腳，故稱為168線內存條。它要比SIMM插槽要長一些，並且它也支持新型的168線EDO-DRAM存儲器。適用DIMM的內存晶元的工作電壓一般為3.3V（使用EDORAM內存晶元的168線內存條除外），適用於SIMM的內存晶元的工作電壓一般為5V（使用EDORAM或FBRAM內存晶元），二者不能混合使用。

⑨ 內存的參數有哪些

（1）容量。內存的容量當然是越大越好，但它要受到主板支持最大容量的限制。單條DDR內存的容量有、256MB、512MB、1GB和2GB等幾種。主板上通常都至少提供兩個內存插槽，若安有多條內存，則電腦內存的總容量是所有內存容量之和。

（2）工作電壓。SDRAM的工作電壓為3．3V，DDR為2．5V，DDR2為1．8V，DDR3為1．5V。

（3）tCK時鍾周期。tCK時鍾周期代表內存所能運行的最大頻率，一般用存取一次數據所需的時間（

（8）匯流排頻率。我們所說的DDR 266、DDR 333和 DDR 400中的「266」、「333」和「400」指的就是內存的匯流排頻率。

（9）數據帶寬。即內存同時傳輸數據的位數，以bit為單位。內存的數據帶寬是通過內存的匯流排頻率計算出來的，計算公式如下：數據帶寬＝（匯流排頻率×帶寬）/8。

⑩ 什麼是內存 有多少種內存

內存，台灣譯為記憶體，亦稱為存儲器，是一種利用半導體技術做成的電子裝置，用來儲存資料。電子電路的資料是以二進制的方式儲存，內存的每一個儲存單元稱做記憶元或記憶胞(Cell)。

分類
根據儲存能力與電源的關系可以分為兩類：

揮發性內存
揮發性(Volatile)內存：指的是當電源供應中斷後，內存所儲存的資料便會消失，一般稱之為RAM。有兩種主要的類型

DRAM：動態隨機存取內存
SRAM：靜態隨機存取內存

非揮發性內存
主條目：ROM

非揮發性(Non-Volatile)內存：即使電源供應中斷，內存所儲存的資料並不會消失，重新供電後，就能夠讀取內存資料

ROM (Read-Only Memory，只讀內存)
PROM (Programmable ROM，可編程式只讀內存)
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory，可擦可編程式只讀內存)
OTPROM(One Time Programmable Read Only Memory，OTP，可單次編程式只讀內存)
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，可電擦可編程式只讀內存)
Flash memory (快閃記憶體)
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