集成電路原理與設計

Ⅰ 集成電路原理與設計 MOS管和半導體生產工藝

RF CMOS / SiGe HBT / GaAs

In the last years RF CMOS power amplifiers have been introced. SiGe Bipolar power amplifiers are available since a couple of year already. But they have not established in volume supply in the hand-set instry as already mentioned. TriQuint also has been engaged in this technology over several years with the development and release of CDMA power amplifier, in SiGe and GaAs. This development team now is exclusively working on GaAs HBT based devices. The main reasons are performance cost. The long lasting dispute between Silicon and GaAs with arguments like: Silicon is more mature and predictable, can be proced at lower cost, and integrating new functions on chip is easier than in GaAs. In detail these are no longer true for today's challenging applications. GaAs processes have matured and cost disadvantages have been overcome by reaching volumes that have driven down substrate prices tremedously. Additionally GaAs has performance features that cannot always be metched by Silicon chip. Larger chip sizes have severe disadvantages because the die gets more expensive and secondly and even more important it has cost impact on the mole and hampers the shrinkage path for future procts. Chip cost for a SiGe chip with comparable performance and function are higher compared to a GaAs HBT die although the wafer cost still is lower, but the required die size is larger. SiGe RF power performance under high linearity requirements in high band for CDMA is not competitive to GaAs HBT. In a CDMA high band example the SiGe die was 2.5x the sizes of a GaAs solution resulted in a 15% lower cost for the full mole.

Ⅱ 半導體，集成電路原理設計

1、集電極電位不相同的NPN晶體管必須放在不同的隔離區，而集電極電位相同的專NPN晶體管可以放在同一個隔屬離區內。2、多數電阻原則上都可以放在同一個隔離區內，只要保證它們之間實現電隔離。3、基區擴散電阻兩端電位不高於NPN晶體管集電極電位時，可與NPN晶體管同放一個隔離區內；基區擴散電阻兩端電位不高於橫向PNP晶體管基極電位時，可與橫向PNP晶體管同放一個隔離區內。
根據這幾條比對電路圖。這個電路實際上是個反相器，或者說是交流轉直流的一個東西。VI高電平時輸出低電平，VI低電平時，或者為負時輸出高電平。
根據那幾條，可以看出Q5、Q6為一個區，其他為一個區。
僅是個人觀點，對隔離區不是很了解

Ⅲ 集成電路設計原理和半導體物理哪個好學

兩者實用性相當，抄在操作方面 半導體物理操作難度更大需要藉助專業器械，半導體物理主要研究半導體的電子狀態，即能帶結構、雜質和缺陷的影響、電子在外電場和外磁場作用下的輸運過程、半導體的光電和熱電效應、半導體的表面結構和性質、半導體與金屬或不同類型半導體接觸時界面的性質和所發生的過程、各種半導體器件的作用機理和製造工藝等
集成電路就是半導體物理的一個分支。因此兩者難度都差不多，而集成電路在中國，世界范圍內都有較為寬廣的市場，因此集成電路設計也比較熱門，個人覺得可以試試集成電路設計。不過具體情況還是要根據你自己的實際情況，比如 興趣 學科綜合水平 等等來決定 以上僅僅代表個人觀點，實際的話還是要看你自己了。無論如何 祝你考研順利！！！

Ⅳ 求《集成電路原理與設計》甘學溫 趙寶瑛編 北京大學出版社版教材的 pdf

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作/譯者：甘學溫 趙寶瑛
ISBN：9787301098028 [十位:7301098022]
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發過去了,進去查收.

Ⅶ 集成電路原理圖設計

都是把單元電路一個個整合而成的！懂得怎麼看單元電路能看懂集成電路不成問題！其實你說的那些就是基礎。

Ⅷ 半導體器件物理和集成電路設計原理什麼關系

集成電路設計原理

Ⅸ 微電子科學與工程的 電子封裝封裝專業和 晶元製造轉也差別大嗎分別都學什麼重點說一下電子封裝

微電子科學與工程專業解讀與就業

學科門類：工學
專 業 類：電子信息類
專業名稱：微電子科學與工程

培養目標：
本專業培養德、智、體等方面全面發展，具備微電子科學與工程專業扎實的自然科學基礎、系統的專業知識和較強的實驗技能與工程實踐能力，能在微電子科學技術領域從事研究、開發、製造和管理等方面工作的專門人才。

培養要求：
本專業學生要求在物理學、電子技術、計算機技術和微電子學等方面掌握扎實的基礎理論，掌握微電子器件及集成電路的原理、設計、製造、封裝與應用技術，接受相關實驗技術的良好訓練，掌握文獻資料檢索基本方法，具有較強的實驗技能與工程實踐能力，在微電子科學與工程領域初步具有研究和開發的能力。

畢業生應獲得以下幾方面的知識和能力：
1．具有較好的人文社會科學素養、創新精神和開闊的科學視野；
2．樹立終身學習理念，具有較強的在未來生活和工作中繼續學習的能力；
3．具有較扎實的自然科學基本理論基礎；
4．具備微電子材料、微電子器件、大規模集成電路、集成系統、計算機輔助設計、封裝技術和測試技術等方面的理論基礎和實驗技能；
5．了解本專業領域的科技發展動態及產業發展狀況，熟悉國家電子信息產業政策及國內外有關知識產權的法律法規；
6．掌握文獻檢索及運用現代信息技術獲取相關信息的基本方法；
7．具有歸納、整理和分析實驗結果以及撰寫論文、報告和參與學術交流的能力。

主幹學科：
微電子學、電子科學與技術。

核心知識領域：
電路理論、電子技術基礎、信號與系統、電磁場與電磁波、半導體物理、微電子器件原理、集成電路設計原理、微電子工藝原理、集成電路封裝與系統測試、嵌入式系統原理與設計、電子設計自動化基礎等。

核心課程示例：
示例一：電路分析原理（64學時）、徽電子與電路基礎（48學時）、信號與系統（48學時）、半導體物理（64學時）、電子線路A（48學時）、數字邏輯電路（48學時）、數字集成電路設計（48學時）、集成電路工藝原理（48學時）、半導體器件物理（48學時）、數字集成電路原理（64學時）、電子系統設計（64學時）、集成電路計算機輔助設計（48學時）。
示例二：電路分析理論（48學時）、電磁場理論（48學時）、模擬電子線路（64學時）、信號與系統（64學時）、數字電子線路（64學時）、固體物理學（64學時）、半導體物理學（64學時）、集成電路原理與設計（64學時），半導體器件物理（64學時）、微電子製造科學原理（48學時）。
示例三：核心必修課，包括電路分析（54學時）、模擬電子技術（48學時）、數字電子技術（48學時）、固體物理（48學時）、半導體物理（48學時）、半導體器件物理（64學時）、半導體工藝原理（48學時）；專業方向核心限選課，包括半導體集成電路原理與設計（32學時）、集成電路CAD（32學時）、集成電路工藝設計（32學時）、半導體光電材料（32學時）、半導體光電器件原理（32學時）、半導體光電器件工藝（32學時）。

主要實踐性教學環節：
金工實習、電子工藝實習、課程設計、生產實習、畢業設計（論文）等。

主要專業實驗：
電路實驗、電子技術實驗、信號與系統實驗、半導體基礎實驗以及微電子技術專業實驗等。

修業年限：四年。

授予學位：工學學士或理學學士。

就業方向：
在微電子科學技術領域從事研究、開發、製造和管理等方面工作。

Ⅹ 881電子線路與集成電路設計和882半導體器件原理具體指哪幾本書

881和882是復旦微電子學科碩士研究生的考試項目
881的參考書：
①《數字邏輯基礎》，陳光版夢編，復旦大學出權版社
②《模擬電子學基礎》，陳光夢編，復旦大學出版社。或者《模擬電子技術基礎》（第三版），童詩白編，高等教育出版社
③《專用集成電路設計方法》，復旦大學微電子學系自編講義
④《Digital Integrated Circuits: A Design Perspective》，Jan M. Rabaey著，英文翻印《數字集成電路設計透視》，清華大學出版社，1999年
⑤《模擬CMOS集成電路設計》，拉扎維著，陳貴燦譯，西安交通大學出版社2003年
882的參考書：
①《雙極型與MOS半導體器件原理》黃均鼐等，復旦大學出版社
②《半導體器件物理基礎》（第1、2、3、5章）曾樹榮，北京大學出版社